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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，自有工廠
靜態(tài)電容量（PF）
靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
響應(yīng)時(shí)間τ
IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測(cè)試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測(cè)試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對(duì)8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0。
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壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時(shí)，位于非線性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線的的拐點(diǎn)上，該電壓確定為元件的啟動(dòng)電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測(cè)試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時(shí)測(cè)量的，用U1mA來(lái)表示。對(duì)于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過(guò)調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來(lái)改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測(cè)定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱電流測(cè)試者，標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測(cè)定的電場(chǎng)強(qiáng)度E0.5表示，對(duì)于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個(gè)值更接近非線性的起始點(diǎn)。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過(guò)的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn)：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時(shí)流過(guò)元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時(shí)，漏電流較大；反之，漏電流較小。可以通過(guò)配方的調(diào)整及制造工藝的改善來(lái)減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來(lái)源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大，低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2，過(guò)量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大。測(cè)試元件的非線性時(shí)，我們希望漏電流以通過(guò)晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒(méi)有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。
由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
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它具有電壓非線性系數(shù)a大，殘壓低，浪涌耐量大，使用電壓范圍寬（從幾伏到幾十萬(wàn)伏），伏安特性陡峭且對(duì)稱，對(duì)脈沖響應(yīng)時(shí)間快，而且無(wú)續(xù)流，漏電流小（uA），電壓隨溫度變化小等特有的優(yōu)點(diǎn)。高能氧化鋅壓敏電阻器還具有低場(chǎng)強(qiáng)、高能容的特點(diǎn)。近年來(lái)的電力系統(tǒng)、電子線路中，吸收大氣過(guò)電壓和操作過(guò)電壓，在超導(dǎo)移能和發(fā)電機(jī)組滅磁、電器設(shè)備、半導(dǎo)體器件及各種電機(jī)過(guò)壓保護(hù)等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。
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