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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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壓敏電阻器在電路的過電壓防護中，如果正常工作在預擊穿區(qū)和擊穿區(qū)，理論上是不會損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態(tài)過電壓、超能量過電壓隨機的不斷沖擊及吸收電路儲能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會損壞的它的壽命根據所在電路經受的過電壓幅值和能量的不同而不同。

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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。

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