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電容量C0

壓敏電阻在導(dǎo)通前的電阻值很大，可視為電介質(zhì)材料，兩個(gè)電極之間存在著pF級(jí)的電容在工頻下，如此之小的電容對(duì)被保護(hù)電路的正常工作幾乎沒(méi)有任何影響，但在高頻或數(shù)字線(xiàn)路中，如不考慮壓敏電阻的電容量，有時(shí)會(huì)造成信號(hào)失真或產(chǎn)生諧振。因此生產(chǎn)廠(chǎng)家應(yīng)向用戶(hù)提供壓敏電阻的電容量參考數(shù)據(jù)（一般以峰值或典型值的方式），以便用戶(hù)設(shè)計(jì)電路時(shí)參考。

源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠(chǎng)家直銷(xiāo)！

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老化的表現(xiàn)：

老化是指在各種外加應(yīng)力及外界因素作用下，其性能及電氣物理參數(shù)發(fā)生改變，逐步偏離其起始性能指標(biāo)。ZnO壓敏電阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在預(yù)擊穿區(qū)，而擊穿區(qū)的老化較小，表現(xiàn)為I-V特性曲線(xiàn)在低電場(chǎng)區(qū)向右偏移，阻性電流加大，功率損耗增大，壓敏電壓下降。直流電壓作用后的老化，I-V特性不對(duì)稱(chēng)；交流電壓作用下的老化。另老化后電容量減小，介電損耗增大。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的線(xiàn)性向非線(xiàn)性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時(shí)，位于非線(xiàn)性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線(xiàn)的的拐點(diǎn)上，該電壓確定為元件的啟動(dòng)電壓，也稱(chēng)為壓敏電壓，是由阻性電流測(cè)試而得的。由于I-V曲線(xiàn)的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時(shí)測(cè)量的，用U1mA來(lái)表示。對(duì)于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過(guò)調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來(lái)改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測(cè)定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱(chēng)電流測(cè)試者，標(biāo)稱(chēng)電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測(cè)定的電場(chǎng)強(qiáng)度E0.5表示，對(duì)于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個(gè)值更接近非線(xiàn)性的起始點(diǎn)。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過(guò)的電流，稱(chēng)為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn)：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時(shí)流過(guò)元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時(shí)，漏電流較大；反之，漏電流較小。可以通過(guò)配方的調(diào)整及制造工藝的改善來(lái)減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來(lái)源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大，低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2，過(guò)量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大。測(cè)試元件的非線(xiàn)性時(shí)，我們希望漏電流以通過(guò)晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線(xiàn)性并沒(méi)有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線(xiàn)性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢(xún)電話(huà)與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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