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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產(chǎn)生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時，它兩端電壓的峰值。一般來說，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波形。

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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯(lián)或并聯(lián)時C值的變化如下：

a）串聯(lián)時電流不變，電壓增大n倍，這時C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯(lián)來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯(lián)時電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯(lián)來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負(fù)一價和負(fù)二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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