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MOV壓敏電阻|壓敏電阻|廠家直銷 免費(fèi)寄樣

東莞市源林電子科技有限公司
  • 經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)加工
  • 地址:廣東省東莞市長(zhǎng)安鎮(zhèn)烏沙興發(fā)北路5號(hào)3號(hào)樓
  • 主營(yíng):壓敏電阻,熱敏電阻,溫度傳感器
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    壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,品類豐富

    ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu),其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài),氧離子以六方密堆,鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu),開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負(fù)離子的配位數(shù)均為4,所以容易引入外部雜質(zhì),ZnO熔點(diǎn)為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體,而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

    Eda等認(rèn)為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴(kuò)散快,對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

    由于壓敏電阻型號(hào)太多,每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息,請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系,謝謝!



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    應(yīng)用類型

    不同的使用場(chǎng)合,應(yīng)用壓敏電阻的目的,作用在壓敏電阻上的電壓/電流應(yīng)力并不相同,因而對(duì)壓敏電阻的要求也不相同,注意區(qū)分這種差異,對(duì)于正確使用是十分重要的。

    (1)區(qū)分電源保護(hù)用,還是信號(hào)線,數(shù)據(jù)線保護(hù)用壓敏電阻器,它們要滿足不同的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

    (2)根據(jù)施加在壓敏電阻上的連續(xù)工作電壓的不同,可將跨電源線用壓敏電阻器可區(qū)分為交流用或直流用兩種類型,壓敏電阻在這兩種電壓應(yīng)力下的老化特性表現(xiàn)不同。

    (3)根據(jù)壓敏電阻承受的異常過(guò)電壓特性的不同,可將壓敏電阻區(qū)分為浪涌抑制型,高功率型和高能型這三種類型。

    浪涌抑制型:是指用于抑制雷電過(guò)電壓和操作過(guò)電壓等瞬態(tài)過(guò)電壓的壓敏電阻器,這種瞬態(tài)過(guò)電壓的出現(xiàn)是隨機(jī)的,非周期的,電流電壓的峰值可能很大。絕大多數(shù)壓敏電阻器都屬于這一類。

    高功率型:是指用于吸收周期出現(xiàn)的連續(xù)脈沖群的壓敏電阻器,例如并接在開(kāi)關(guān)電源變換器上的壓敏電阻,這里沖擊電壓周期出現(xiàn),且周期可知,能量值一般可以計(jì)算出來(lái),電壓的峰值并不大,但因出現(xiàn)頻率高,其平均功率相當(dāng)大。

    高能型:指用于吸收發(fā)電機(jī)勵(lì)磁線圈,起重電磁鐵線圈等大型電感線圈中的磁能的壓敏電壓器,對(duì)這類應(yīng)用,主要技術(shù)指標(biāo)是能量吸收能力。壓敏電阻器的保護(hù)功能,絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合下,是可以多次反復(fù)作用的,但有時(shí)也將它做成電流保險(xiǎn)絲那樣的'一次性'保護(hù)器件。例如并接在某些電流互感器負(fù)載上的帶短路接點(diǎn)壓敏電阻。

    源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻熱敏電阻溫度傳感器,自有研發(fā)團(tuán)隊(duì),廠家直銷!



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    氧化鋅壓敏電阻的缺陷:

    ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價(jià)和正二價(jià)的Zni和Vo,負(fù)一價(jià)和負(fù)二價(jià)的

    VZn ,正一價(jià)的DZn。VZn主要在晶界處,VZn為受主態(tài),使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢(shì)壘,約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài),是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻,提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中。高溫時(shí)原子運(yùn)動(dòng)加劇,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷卻過(guò)程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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